论文部分内容阅读
在本文中,我们利用真空阴极弧沉积技术对Zr-N-C薄膜进行了制备与研究,将独立的Zr靶和CH2在氮气环境下同时放电可以制备出Zr-N-C复合薄膜。结果表明薄膜由ZrN、ZrC以及ZrxC1-xN多相组成。由于固溶强化、混晶强化以及晶格畸变等因素的共同作用,薄膜的硬度比单纯ZrN薄膜有较大的提高；该复合薄膜表现出理想的断裂韧性以及与基体的结合效果。在Zr靶放电的同时结合热灯丝离化的CH2和N2混合气体制备了Zr-N-C复合薄膜。结果表明,由于非晶相ZrC的存在,薄膜的择优取向、ZrN晶粒尺