【摘 要】
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采用推广的Lasen微扰理论与变分波函数相结合的方法,在有限温度情况下,对处在与生长轴平行的静电、磁场中的半导体量子阱内的电子-体LO声子耦合系统进行研究,得到系统包括二
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采用推广的Lasen微扰理论与变分波函数相结合的方法,在有限温度情况下,对处在与生长轴平行的静电、磁场中的半导体量子阱内的电子-体LO声子耦合系统进行研究,得到系统包括二极微扰修正的,作为量子阱宽度、晶格温度和电子-体LO声子耦合常数α以及电、磁场强度函数的基态能量表达式;还得出了不同阱宽和电场时的电极化率表达式.当阱宽L→0时温度T→0K的极限时,二级微扰修正能与Larsen研究的二维磁极化子结果一致;对于任意阱宽、温度、电场和磁场的情况,数值结果表明:对电子基态能量的极化影响,随电场强度的增大而增强,却随阱宽的增大而减弱;"高磁场"时,温度对电子基态能量的极化影响,随温度的升高而变大;"低磁场"时,却随温度的升高而变小.
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