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最近几年,半导体光电功能材料和器件是现代信息产业的基础和核心,而基于低维半导体微结构材料的固态纳米器件,已成为目前的研究热点。低维半导体纳米器件的制备依赖于低维结构材料生长和纳米加工技术的进步,而纳米结构材料的质量又很大程度上取决于生长和制备技术的水平。 电沉积是一种液相电化学沉积方法,在历史上已被制备各种多晶薄膜和纳米结构。电沉积通常在室温或稍高于室温的条件下进行,因此非常适合制备纳米结构;沉积的量由Faraday定律控制;沉积的速度可由过电位来控制,越大的过电位,沉积速度越快;此外,电沉积是一种经济的沉积方法。 ZnO作为是一种用途十分广泛的功能材料,大量用于电子、涂料、催化等重要工业技术领域。在本论文中,首先用电沉积的方法,在室温条件下水溶液中沉积了一层ZnO2薄膜。通过XRD、TG/DSC确认所得产物为ZnO2,而并非Zn（OH）2,通过SEM观察到ZnO2细小的纳米结构。然后用电沉积得到的ZnO2作为前驱体在200℃,300℃,400℃热分解4小时得到纳米ZnO薄膜。产物分别用SEM、XRD、UV-vis和PL等进行了表征,并且计算了用这种方法得到的ZnO薄膜的禁带宽度。发现随着温度升高ZnO薄膜粒子变大,UV和PL谱都发生了红移现象。 CdO作为一种典型的功能材料,在光吸收、光电转换、非线性光学、光催化和传感器等方面有着广泛的应用。在本论文中,首先用电沉积的方法,在室温条件下水溶液中沉积一层CdO2薄膜。通过XRD、TG/DSC确认所得产物为CdO2,而并非Cd（OH）2,通过SEM观察到CdO2细小的纳米结构。然后用电沉积得到的CdO2作为前驱体在400℃热分解4小时得到纳米CdO薄膜。产物分别用SEM、XRD和UV-vis等进行了表征,并且计算了用这种方法得到的CdO薄膜的禁带宽度。 Cd（1-x）ZnxO是一类重要的三元半导体材料,改变化学计量式可调节其物理、化学性质。在本论文中,通过电化学沉积法一步合成了纳米Cd0.63Zn0.37O2和