本文以寒兰（Cymbidium kanran Makino）为材料，采用B₅基本培养基，附加不同浓度的植物生长调节剂，对其快速繁殖技术的建立和诱导试管成花进行了研究。结果表明：适合种子萌发的培养基为1／2 B₅+6-BA0.6 mg L^-1+NAA0.2 mgL^-1+AC 0.05％，萌发率为28.5％；根状茎增殖的最佳培养基为B₅+6-BA0.6 mgL^-1+NAA 1.2 mg L^-1，平均生长速度为1.77；适合根状茎分化的培养基为B₅+6-BA 1.0 mg L^-1+NAA 0.2 mg L^-1，苗分化率可达87.5％；适合植株侧芽诱导的培养基为B₅（1／10 N，5 P）+6-BA 3.0 mg L^-1，芽增殖系数为5.9；诱导类原球茎的最佳培养基为B₅+TDZ0.50mgL^-1+NAA0.25mgL^-1，诱导率98.3％；继代增殖的最佳培养基为B₅+S-33071.0 mg L^-1+NAA0.2 mg L^-1+蔗糖3.5％，增殖系数9.4；类原球茎分化的最佳培养基为B₅+S-3307 0.75 mg L^-1+6-BA 1.0 mg L^-1+NAA0.4 mg L^-1，分化率达87.8％；适合类原球茎丛生芽诱导的培养基为B₅（1／10N，5 P）+6-BA3.0 mg L-1，芽增殖系数为5.6；最佳的生根培养基为1／2 B₅+NAA0.2 mg L^-1+AC 0.05％，生根率达100％；以珍珠岩∶锯末∶火烧土（1∶1∶1）为移栽基质，成活率可达97.4％。6-BA浓度为2.0 mg L^-1时，花芽诱导率为58.33％；TDZ浓度为0.60 mg L^-1时，花芽诱导率为66.67％；蔗糖浓度为4.5％时，花芽诱导率为36％；光周期为8h d^-1的花芽诱导为41.67％；花芽诱导的最佳培养基为B₅（1 N，3 P）+6-BA2.0 mg L^-1+蔗糖3.5％，诱导率达76％。采用石蜡连续切片技术，观察寒兰成花过程表明，其花芽发育可划分为腋芽的形成、花芽的分化、花芽的生长发育、花的成熟与开花4个阶段。