近年来,“量子尺寸效应”及“人工微结构—超晶格”的概念与超精细薄层材料生长技术(MBE,MOCVD)的结合又产生了一系列的量子阱、超晶格器件。因此小尺度光学微腔的研究大大引起了人们的兴趣。半导体微腔中腔量子电动力学现象已成为近年来研究的热点,本文对量子阱中激子效应对微腔激光器的影响进行了研究。 目前量子阱激光器中进行反射光谱计算时一般都没有考虑到微腔激子效应,并且大多数实验中所用的量子阱均为InGaAsP量子阱。在实验过程中,由于量子阱在生长过程中产生的应力使得轻空穴激子的跃迁能与重空穴激子的跃迁能二者之间间隔较大,所以轻空穴激子的影响往往就会被忽略。但是如果换成在GaAs量子阱中,二者相差不是很大,所以在量子阱中轻空穴激子的影响就不能够被忽略了。 本论文就是在考虑到轻空穴激子的影响后进行计算的。本论文主要包括以下几方面内容:简略介绍量子阱激光器的结构与基本特性;简略介绍量子阱激光器的工作原理和其激子效应:针对采用GaAs量子阱结构的半导体微腔用有限深势阱模型计算了轻、重空穴激子跃迁能;并建立量子阱中含有轻、重空穴激子的色散关系模型对微腔激子效应对有源区介质复折射率的影响进行分析,从而建立有源区介质复折射率与量子阱结构参数之间关系的数值计算模型,并计算得到了反射率随波长变化时出现的五个最小值,即腔模和激子的四个吸收峰。 为研究考虑微腔激子效应后的量子阱激光器的出光特性,我们采用了等效F-P腔法和有效折射率法,模拟出其反射光谱。