聚偏二氟乙烯-三氟乙烯P(VDF-TrFE)(70:30 mol%)作为铁电聚合物材料的一种,具有传统无机铁电材料不具备的柔性,相比其他有机小分子材料,其饱和极化强度和居里温度高、热稳定好、易于加工。在传感器、存储器、光伏电子,人造皮肤等微电子领域有着广泛的应用前景。在以要求元器件低电压低功耗著称的微电子领域,P(VDF-TrFE)过高的矫顽力限制了其应用,因此,有必要寻找有效的方式对其矫顽力进行调控。对于无机铁电薄膜,常见的调控方法包括(1)应力调控:借助刚性衬底在薄膜内产生面内应力从而调控薄膜的极化强度和矫顽力;(2)缺陷调控:通过引入带电缺陷如氧空位,利用它和铁电偶极子的静电相互作用来影响铁电畴的形态,从而调控铁电薄膜的铁电回线特性;(3)界面电学调控:利用金属和半导体材料具有不同电荷屏蔽能力的特性,通过构建铁电/金属界面或者铁电/半导体界面调控薄膜的铁电性能。P(VDF-TrFE)作为一种有机高分子聚合物,很难与刚性衬底耦合,也不容易引入带电缺陷。因此,我们采用界面电学调控的方法对P(VDF-TrFE)薄膜的铁电性能进行调控。在本文中,我们分别在金属衬底金(Au/Si)和半导体衬底掺铌钛酸锶(Nb:SrTiO3,NSTO)单晶上旋涂了 P(VDF-TrFE)薄膜。利用铜(Cu)作为上电极研究了不同类型的衬底对薄膜铁电极化翻转的影响。另外,利用NSTO衬底优良的光吸收性能,我们进一步研究了紫外光照(365nm)对薄膜极化翻转的影响。第一部分主要借助于电滞回线(P-E loop),不同取向电压下PUND(Positive-Up-Negative-Down)曲线的测量对薄膜的极化性能以及翻转动力学进行研究。我们发现由于沉积在NSTO衬底上的薄膜上下电极不对称,相比正向电压(从上电极指向下电极),在负压下更容易开始发生翻转。沉积在Au衬底上的薄膜,正负压下翻转快慢差别不大。第二部分我们在365 nm紫外光照的条件下,测试薄膜的电滞回线,翻转动力学曲线,极化电流曲线(Ⅰ-Ⅴ,电容电压(C-V)曲线的变化,我们发现在引入紫外光以后薄膜更容易发生翻转,NSTO衬底上生长的薄膜矫顽场减小了～18%。