闪存控制器中差错控制编码研究

来源 :中国科学技术大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mitsuaki
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工艺的进步和消费电子市场对高密度非易失性存储的需求,促使多层单元闪存代替单层单元闪存成为闪存市场的主流,但同时提出数据可靠性的需求。针对多层单元闪存中存在的多比特随机错误问题,闪存控制器中需要实现低功耗高带宽的差错控制编解码器。本毕业设计首先在riBM/RiBM算法的基础上,对BCH码的关键方程求解部分进行研究创新,提出二进制版的riBM算法,修正现有的SiBM算法的错误,并且提出更加优化的另外两种算法,硬件上实现了带宽为1.6Gbps的BCH编解码器;其次,本毕业设计对LDPC码进行尝试,实现了802.11g中使用的LDPC编解码,由于时间的因素,部分工作尚未完成。本毕业设计的差错控制编码完全符合ONFI2.x的带宽要求,但是对ONFI3.0只是部分模式支持,带宽有待提高。
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