该文首先对基于纳米材料的磁记录介质的研究现状和发展趋势进行了评述,分析了进一步提高记录密度和存储容量所面临的物理和技术问题.对纳米线阵列材料,如果在单根纳米线上存储一位信息,可获得所谓量子化存储介质.在解决物理基础和技术问题的基础上,可望获得超高密度的记录材料.基于上述思想,该文从获得磁性纳米线阵列的方法学角度入手,首先研究多孔阳极氧化铝(AAO)模板制备条件对所形成模板孔洞阵列的影响,探索改进现有的模板制备方法和工艺,旨在获得排列规则、阵列几何参数可控的超高密度模板,进而获得相应的磁性纳米线阵列.通过阳极氧化的方法到了具有不同孔洞直径的多孔阳极氧化铝模板.研究了不同阳极氧化电压(分别为60V,50V,45V,40V)对模板孔径、孔间距、孔隙率等参数影响.制备了相同的氧化电压(40V)下氧化时间分别为1小时,2小时,3小时,8小时以及24小时的多孔阳极氧化铝模板,分析了其孔洞和氧化层厚度随时间的变化规律.着重研究了氧化温度对多孔阳极氧化铝模板的影响,分别用退火铝片和未退火的铝片制作了不同温度下的阳极氧化铝模板,在20℃~70℃温度范围内,分析了所得模板的孔洞分布、表面形貌、氧化层厚度等参数.根据对阳极氧化温度的研究,结合传统二次氧化,我们首次提出了基于温度的二次氧化方法.通过调节第一次和第二次氧化的温度,得到高度有序,孔径可调的多孔阳极氧化铝模板.采用电化学沉积(水溶液,有机溶液)法,在我们获得的AAO模板中沉积了Ni,Fe磁性纳米线阵列,分别对其微结构和磁特性进行了分析与表征,并对单根Ni,Fe纳米线的磁滞回线进行了模拟.