碳化硅（SiC）陶瓷是制造轻量化大口径空间反射镜的理想材料，但由于其高硬度、高耐磨性、高脆性、低断裂韧性、化学性质稳定等特点，导致其可加工性差。化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）技术是通过化学腐蚀和机械去除的综合作用来实现材料去除，是SiC等难加工材料实现超精密加工的理想方法。但是，目前对CMP材料去除机理、材料去除非均匀性形成机理等方面尚未弄清楚，在很大程度上人们还是通过经验或半经验手段控制CMP过程。本文通过理论分析和实验研究，旨在获得SiC高材料去除率、高表面质量、高表面平整性的方案，这对提高SiC陶瓷化学机械抛光技术的水平具有重要的理论意义和应用价值。本文首先建立了工件与磨具的相对运动模型，分析抛光过程中，工件及磨具转速等参数对工件表面速度分布及对工件表面各点运动轨迹分布的影响。在此基础上，仿真研究了工件及磨具在抛光过程中磨损的影响因素及实现均匀磨损的条件。在工件与抛光垫直接接触状态下，利用ABAQUS软件建立CMP有限元接触模型，仿真分析了SiC在抛光过程中工件下压力，抛光垫厚度、泊松比、弹性模量，及工件与抛光垫的摩擦系数等参数对工件表面接触应力分布的影响规律。在此基础上，基于保持环技术，研究了保持环压力、保持环与工件之间的间隙、保持环宽度等参数以及保持环的结构对接触应力分布及其分布的非均匀性的影响规律。在上述理论分析的基础上，对SiC进行化学机械抛光实验研究。以抛光后工件表面轮廓的算术平均偏差值来描述工件表面的平整性。实验中，以表面材料去除率，抛光后工件表面粗糙度、表面形貌、表面平整性作为指标，采用单因素实验法，研究不同压力、速度、抛光液浓度、抛光垫、保持环等工艺参数对SiC-CMP材料去除率、表面平整性和粗糙度的影响规律。