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钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST,0≤x≤1)薄膜介电常数随外加电场变化而非线性变化,在微波调谐器件上有广泛应用前景。本论文主要研究铈(Ce)镁(Mg)交替掺杂BST薄膜调谐性能。在已有交替掺杂的基础上,对铈镁交替掺杂薄膜的不同掺杂浓度、方式、结构等进行研究。用X射线衍射(XRD)分析薄膜相结构和生长取向,扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面形貌和截面特征,介电阻抗测试仪测试薄膜介电性能。主要成果如下:1.Ce掺杂主要提高薄膜介电调谐率,Mg掺杂主要降低薄膜介电损耗,Ce/Mg(3 mol