本文系统地研究了掺杂离子对PbWO4晶体（以下简称PWO晶体）结构的影响,讨论了掺杂晶体组成和结构的关系,以及晶体生长工艺和设备改进。通过增加辅助热源改进生长设备,减小了坩埚内熔体自上而下的温度梯度,从而解决了生长晶体底部外凸现象。利用滑轮设计保温盖板解决可视化问题。引风系统的采用避免了铅挥发对科研人员造成的危害。Czochralski法生长晶体,由于高温和非密封环境,以及PbO比WO₃更易挥发的特性,晶体沿纵向呈缺Pb趋势,熔体富W。Raman光谱证实生长的各种PWO晶体为体心四方结构。Tb、Yb掺杂离子进入晶格使得与Pb²⁺振动有关的谱线展宽并发生频移,Mo掺杂使得WO₄^2-基团外模振动与W有关的谱线展宽,展宽程度随掺杂离子浓度增加而增大。当掺杂离子质量小于被取代离子时,谱线向高频方向移动;反之,则移向低频。掺杂PWO晶体XRD图谱中未出现新的衍射峰,但和未掺杂PWO晶体相比,掺杂离子使衍射峰位置和强度发生了改变,即晶格常数变大。当掺杂离子浓度较高时,由于V_Pb被掺杂离子占据,浓度降低,这时掺杂离子主要占据Pb²⁺位,随着掺杂浓度增加,半径小于Pb²⁺的离子掺杂使晶格常数变小;反之,则变大。掺杂对常数c的影响更为明显。并发现掺杂离子对VPb的取代优于Pb²⁺。掺杂离子对晶体吸收边位置和420nm处吸收产生了影响。当掺杂离子极化能力大于Pb²⁺,使得W（Mo）O₄^2-基团内电子跃迁所需能量增加,吸收边红移;对于高价的Tb³⁺、Yb³⁺掺杂能抑制420nm处吸收。因此认为PWO晶体420nm的吸收由晶格内Pb³⁺和O^-缺陷共同引起。