【摘 要】
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该文通过大量的实验和测试对非掺杂和Ag掺杂P型HgCdTeLPE材料的电学性质进行了研究,研究内容和结果如下:1.通过带ZnSCap层退火的碲镉汞外延材料电学参数的研究,发现Cap层样品
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该文通过大量的实验和测试对非掺杂和Ag掺杂P型Hg<,1-x>Cd<,x>TeLPE材料的电学性质进行了研究,研究内容和结果如下:1.通过带ZnSCap层退火的碲镉汞外延材料电学参数的研究,发现Cap层样品的电学参数的测试方法对测量结果有很大的影响,结果表明用盐酸去除Cap层后在碲镉汞表面会形成N型反型层.2.通过对P-Hg<,1-x>Cd<,x>Te材料的大量常规测试的数据分析,得到P-型外延材料的空穴载流子浓度与空穴迁移率的关系,并发现它与体材料上测量得到的结果相似.3.采用单受主模型研究了非掺杂LPEP-Hg<,1-x>Cd<,x>Te材料的变温特性,得到材料的受主能级、受主浓度和残余施主浓度分别为,8.5meV、3.5×10<16>cm<-3>和1.0×10<16>cm<-3>.4.用AgNO3溶液对P-Hg<,1-x>Cd<,x>Te材料进行了掺Ag,用SIMS分析了掺杂结果.
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