光致发光是半导体光学的重要部分。尽管国内外有很多人在研究光致发光,但是研究大多都是集中在利用光致发光谱分析材料的缺陷和器件的结构等。本文从事了光致发光的探索性研究,主要研究了光致发光的能带结构、发光效率和输出特性。为了研究光致发光的特性,首先设计能带结构,目的是为了提高发光效率。提高发光效率应该尽量减少非辐射复合的效率,但是由于非辐射复合的减少主要通过工艺,所以本文主要目的是提高辐射复合效率,这样就要求尽量把载流子集中到一个区域。在以上分析的基础上,得到了满足要求的结构,并且利用异质结的势垒高度和渐变能带产生的电场,进一步增加载流子浓度。接着,利用ISETCAD软件,分别优化外体区吸收层和外激活区吸收层,得出每种情况下的最优结构。然后对比分析了发光区域采用不同材料、宽度为大尺寸或量子尺寸时,对于器件的影响。还分析了发光区域的宽度处于量子尺寸时,两边势垒高度的变化对于光致发光特性的影响。最后总体考虑各层对于结构的影响,得出最有利于提高光致发光输出能量的结构。本文通过对光致发光的研究,为其提供了新的方法,提出了新的思路。为进一步的研究奠定了基础。