在非易失性存储器中,主流的NAND闪存由于吞吐性能好,能量消耗低,数据存储稳定,成为了数据存储领域的一种重要的存储媒介。多级存储单元(MLC)技术通过提高闪存单元存储密度来增加闪存容量,现在已经被闪存厂商所广泛使用,然而,随着NAND闪存芯片封装尺寸的减小,MLC型NAND闪存内部会受到多种噪声的干扰,导致闪存芯片可靠性降低。低密度奇偶校验码(LDPC Codes)作为一种高级纠错码技术,为闪存系统提供了可行的差错控制解决方法。本文对MLC型NAND闪存中基于软信息感知策略的LDPC码译码进行研究,通过分析NAND闪存中的数据表示方式和主要噪声来源,总结出一个MLC型NAND闪存单元的阈值电压分布模型,并应用不同感知策略下的LDPC码译码方法来实现差错控制,文章主要内容如下:1.介绍了NAND闪存的物理结构和操作模型,并基于闪存单元的物理特点,概述了NAND闪存中存在的干扰噪声及其来源。介绍了LDPC码的描述和表示,并给出了常用的LDPC码译码方法。2.分析MLC型NAND闪存的物理特性和噪声特征,总结闪存单元的阈值电压分布和噪声干扰模型。在该模型基础上,对软信息均匀感知策略下的比特反转译码算法进行仿真,仿真结果表明该策略下的比特反转译码算法能够有效地降低闪存模型中噪声引起的数据失真。3.分析闪存单元中阈值电压分布的特点,给出一种非均匀的软信息感知策略,提高了LDPC码的软信息计算精度,仿真表明该策略能够提高比特反转译码算法的译码性能。在非均匀感知策略基础上,使用最小和译码算法来实现闪存模型中的纠错译码,仿真表明最小和译码算法相对于比特反转译码算法具有更好的译码性能。