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铁电磁体是指结构中同时存在电序和磁序的材料，其丰富的物理内涵孕育了广阔的应用前景，一直是多功能材料领域研究的热点。铁酸铋(BiFeO3，BFO)是目前唯一的室温单相铁电磁体，其铁电居里温度和磁性相变尼尔温度分别高达830℃和370℃，并且能够产生磁电耦合效应，在信息存储和自旋磁电子传感器等领域有着广泛的应用前景。BFO薄膜相对于陶瓷材料，具有较好的绝缘性和优越的铁电、铁磁性能。本论文利用脉冲激光沉积(PLD)技术制备高质量的BFO基多铁薄膜，选择锰酸铽(TbMnO3，TMO)和锰酸钇(YMnO3，YMO)作为固溶掺入，探索薄膜的外延生长工艺和结构、性能表征，研究BFO-YMO体系的物理性能随YMO含量的变化关系。利用PLD技术制备了0.9BFO-0.1TMO薄膜。在(111)-Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上获得随机取向的多晶薄膜，而在单晶(001)SrTiO3衬底上能沉积出外延性良好的薄膜，并且都不存在杂相。衬底温度的升高有利于提高结晶性能，获得表面平整的薄膜，但是随之增大的晶粒尺寸降低了薄膜的压电、铁电性能。在650℃、13Pa的氧气气氛中，可以得到电学性能良好的外延0.9BFO-0.1TMO薄膜。以LSMO和SRO两种氧化物作为底电极，在STO衬底上都能获得具有压缩应力的外延薄膜。生长在LSMO上的薄膜显示出更强的向上自发极化现象，具有明显的极化反转特性和压电响应，并且认为这种性质是由薄膜内部较大的外延压缩应力所导致的。该薄膜还具有较好的宏观铁电性能，Pr为2.15μC/cm2，漏电流小。利用PLD技术制备了外延的(1-x)BFO-xYMO(x=0.05,0.10,0.15)薄膜。研究发现不同YMO掺入量的样品都形成了BFO-YMO的固溶体系，能在STO单晶衬底上实现外延生长。薄膜的晶粒生长均匀，表面致密平整，随着YMO含量的增加，晶粒尺寸和表面粗糙度都逐渐增大。x=0.10的薄膜显示出趋近于饱和的电滞回线，矫顽电压EC约为70kV/cm，饱和极化强度PS约为7.05μC/cm2，剩余极化强度Pr约为2.02μC/cm2。磁性测试结果表明，该体系薄膜在室温下显示了饱和、对称的铁磁性，随着YMO掺入量的增加，磁化强度逐渐提高，x=0.15时的饱和磁化强度MS达到26.35emu/cm3。此外，YMO的掺入还能够明显降低BFO薄膜的光学禁带宽度，在x=0.15时薄膜的Eg值为2.30eV。