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硒化铋(Bi2Se3)作为新一代的拓扑绝缘体，它拥有简单的能带结构，大的能隙且易于合成，属于最简单的强拓扑绝缘体，其表面具有稳定金属态。这些特性使其受到了广泛的关注。相比于Bi2Se3体材料，少层，甚至单层的Bi2Se3纳米片具有更好的应用前景。论文中采用液相剥离的方法，剥离体材料制备少层Bi2Se3纳米片。分离出的少层Bi2Se3纳米片在可见光区展现出了有趣的光学性质，并随着片层大小和厚度的不同，光学吸收性质也发生变化。同时，在液相剥离的过程中，本文通过材料自发的氧化还原方式，原位自发制备纳米金-硒化铋复合材料。通过表征手段，观察到了颗粒均一，粒径较小，高密度的纳米金(AuNPs)，并将其用于构建电化学葡萄糖传感器。主要研究结果如下: 1.以N-甲基吡咯烷酮(NMP)或壳聚糖醋酸溶液（CS-HAc）为溶剂，在超声波的辅助下，30 h可以获得稳定分散的少层Bi2Se3纳米片。表征结果证明所制备Bi2Se3纳米片表面平整，光滑，有褶皱感。尺寸大小主要分布在数百纳米，厚度约为3-4nm。 2.不同离心转速(2000 rpm、8000 rpm、13000 rpm)分离出的Bi2Se3纳米片，展现出了不同的可见光吸收峰。在NMP中，当它的大小从500 nm降至100 nm左右，厚度从10nm降至2nm左右时，其最大的吸收峰值发生了蓝移，从613nm偏移至419nm处。在CS-HAc中同样有着类似的现象。 3.通过理论计算发现不同类型的Bi2Se3纳米片展现出不同的能隙。在NMP里，可以计算得到其能隙值分别为1.22 eV(2000 rpm)＜1.39 eV（8000 rpm）＜1.50eV(13000 rpm)。在CS-HAc中，其能隙值为1.33 eV(2000 rpm)＜1.51 eV(8000rpm)＜1.59 eV(13000 rpm)。同样，通过理论分析，得知能隙发生变化的主要原因是由于纳米材料的量子尺寸效应。 4.利用NMP或者CS-HAc剥离制备的Bi2Se3纳米片溶液与氯金酸溶液混合后，能够在Bi2Se3纳米片层上原位还原出AuNPs。因此，在超声波的辅助下，在制备少层Bi2Se3纳米片的同时，合成出Bi2Se3/Au复合材料。表征结果显示，Bi2Se3/Au复合材料中的AuNPs高密度分布，粒径均一较小，约为6nm左右，并计算出AuNPs的含量约为9.14 wt％。通过反应机理探究，我们可以初步地认为 Bi2Se3纳米片能够与HAuCh发生反应，主要是由于Bi2Se3纳米片存在着缺陷，较易氧化，从而促使AuNPs原位还原在Bi2Se3纳米片上，自发形成Bi2Se3/Au复合材料。 5.将Bi2Se3/Au复合材料修饰玻碳电极，研究了Bi2Se3/Au的电化学性能，构建葡萄糖电化学传感器。结果表明其可以很好地促进电极与电解液之间的电子传递速度，具有良好的导电性，因而也表现出了更高的电化学活性。其Bi2Se3/Au修饰玻碳电极的有效活性面积是裸玻碳电极的1.77倍。在含葡萄糖的PBS溶液中，我们实现了对葡萄糖溶液的电化学检测，线性检测范围为1-10 mM(R2=0.995)，检测限为0.188 mM。电极的灵敏度为12.03μAmM-1 cm-2。