随着科学技术的发展,空间光学元件、高功率激光器、X射线光学系统得到越来越多的应用,同时集成电路也向着大规模以及超大规模发展,这就对光学以及光电元件表面质量提出了较高的要求。离子束刻蚀抛光作为一种非接触抛光技术,有着诸多的优点,因此在获取光学以及光电元件高质量表面时得到了广泛的应用。本文的研究内容主要分为两部分：离子束刻蚀抛光和KDP的离子束沉积修正抛光。主要对石英、硫化锌以及KDP进行了离子束刻蚀抛光,研究了不同的离子束工艺参数对离子束刻蚀抛光的影响；同时研究了离子束沉积修正抛光技术,并对KDP进行了离子束沉积修正抛光。(1)石英、硫化锌以及KDP的离子束刻蚀抛光。研究了不同的工艺参数(离子束入射能量、离子束流、离子束入射角度以及工作气体流量)对离子束刻蚀的影响,揭示了晶体表面在离子束刻蚀过程中表面形貌的演变与离子束参数之间关系,以及晶体表面的离子束刻蚀机理。(2)KDP的离子束沉积修正抛光。首先进对制备好的平坦化层的减薄处理,对比了ICP减薄以及离子束刻蚀减薄,选择了离子束刻蚀减薄平坦化层,工艺参数为：离子束入射角度为45°,离子束流为354 μA/cm2,离子束入射能量500eV,工作气体中氩气氧气流量分别为7.2sccm和6sccm:然后选择了离子束沉积修正抛光工艺参数,选择一个KDP和PI胶平坦化层有相同刻蚀速率,同时表面形貌不会有较大损失的工艺参数,工艺参数为：离子束入射角度为450,离子束流为310 μ/cm2,离子束入射能量为400eV,工作气体中氩气氧气流量分别为12.2sccm和1sccm:最后对KDP进行了离子束沉积修正抛光,最终使得KDP表面粗糙度值降低了0.31nm。