【摘 要】
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本论文以薄膜体声波谐振器(FBAR)技术为主要的研究对象,在深入分析薄膜体声波谐振器理论和技术原理的基础上,对薄膜体声波谐振器(FBAR)技术进行了详尽的讨论和研究。主要内容
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本论文以薄膜体声波谐振器(FBAR)技术为主要的研究对象,在深入分析薄膜体声波谐振器理论和技术原理的基础上,对薄膜体声波谐振器(FBAR)技术进行了详尽的讨论和研究。主要内容为:1.调研国内外FBAR技术最新发展动态,制定FBAR总体设计实施方案;2.横膈膜型FBAR器件工艺方案的设计和研究;3.FBAR器件版图及工艺参数设计;4.Si的三维化学各向异性深槽刻蚀技术的研究;5.低损耗换能器设计及制作技术研究;6.优质ZnO压电薄膜生长技术研究;7.换能器结构层不同薄膜材料的选择性刻蚀技术研究。通过刻苦攻关,在突破器件横膈膜成形、不同薄膜材料的选择性刻蚀、优质ZnO压电薄膜的生长等多项关键技术基础上,研制出了满足论文课题指标的薄膜体声波谐振器(FBAR)样品。样品主要技术指标:中心频率3194MHz,插损3.8dB,Q值230。通过本论文课题的研究,取得了国内在薄膜体声波谐振器技术研究上的突破,为FBAR技术在新一代高性能、高可靠性通信电子系统上的应用奠定了基础。
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