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溴化铊具有密度大(7.56g/cm3)，原子序数高(Tl:81，Br:35)，禁带宽度(2.68eV)，电阻率高(约1011Ω·cm)，熔点低(460oC)及晶体结构简单(简单立方)等优点，是室温核辐射探测器的优选材料，近年来成为国内外探测器材料的研究热点。尽管对溴化铊室温核辐射探测器的研究由来已久，但在大尺寸、高质量晶体的生长及晶体的表面处理等研究上尚存在诸多难题，本文对此进行了探索。 采用垂直动态梯度凝固法生长溴化铊晶体，首先生长了直径为8mm的TlBr单晶，在此基础上成功生长了直径为15mm的大尺寸TlBr单晶。 由于溴化铊晶体和石英安瓿热膨胀系数相差两个数量级，在晶体生长过程中易在晶体中产生应力，从而导致位错等晶体缺陷的大量产生。针对此问题，采用了内壁镀碳膜的石英安瓿生长晶体。通过对晶体的表面形貌、光学特性、电学特性分析表明，采用内壁镀碳膜的石英安瓿生长晶体能够有效提高晶体的质量。 晶片的表面质量直接影响晶片的漏电流及探测器性能，因此在探测器的制备过程中，晶片的表面处理是关键的工艺之一。为此研究了不同化学腐蚀液对晶片表面形貌和晶体特性的影响。通过对比不同化学腐蚀液腐蚀后的晶片的光学显微形貌(OM)、扫描电子显微形貌(SEM)及晶片表面的EDS分析，结果表明，和溴–甲醇溶液相比，埃弗森腐蚀液对富铊相有更好的腐蚀效果。