【摘 要】
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该文论文希望通过对其电学性质的研究来探索适用于TiO压敏电阻的理论模型.该篇论文首先以TiOWO系列压敏材料为例,比较详细的研究了该系列压敏材料的微观结构、非线性电学性质
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该文论文希望通过对其电学性质的研究来探索适用于TiO<,2>压敏电阻的理论模型.该篇论文首先以TiO<,2>WO<,3>系列压敏材料为例,比较详细的研究了该系列压敏材料的微观结构、非线性电学性质、介电性质.通过晶格缺陷理论分析了该系列压敏材料内部的缺陷形成过程及分布范围,类比于ZnO压敏电阻的晶界势垒模型提出了适用于TiO<,2>压敏电阻的晶界缺陷势垒模型.为了使我们的认识更加全面,我们还研究了该系列压敏材料的偏压特性、等效电路以及烧结温度对压敏性能的影响.在此基础上,我们用同样的方法研究了SnO<,2>等价搀杂和BCO<,3>、La<,2>O<,3>等受主搀杂的TiO<,2>压敏电阻的电学性质,进一步验证了我们的结论,并对试验中发现的新现象作出解释.
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