自Fleischmann和Van Duyne等人发现了表面增强拉曼散射(SERS)效应,SERS广泛应用于痕量检测、生物组织成像、催化反应监测等领域,成为了一种极其重要的分析技术。表面增强拉曼光谱的灵敏度基本上取决于基底材料的性质。具有强局域表面等离子体共振(LSPR)的贵金属纳米材料(如金、银)是最常见的SERS基底。然而,高昂的价格在一定程度上限制了基于Au的SERS的大规模应用。与贵金属基底相比,半导体基底因为其可调节的带隙、非金属的局域表面等离子体共振、化学性质稳定和较低的成本等优点,受到了越来越多的关注。在半导体材料中氧化钨是一种重要的半导体材料,广泛用于制备光催化剂、电致变色器件、气体传感器等领域,特别是氧缺陷氧化钨有丰富的表面态和较小的带隙。本文主要研究了通过负载贵金属或引入氧空位改变氧化钨光电性质,使其具有表面增强效应。主要工作内容如下:1、Ag@WO3纳米花的制备及其表面增强拉曼的研究利用简单的水热法制备了 WO3·H2O纳米花,400℃退火2h得到WO3。然后通过磁控溅射技术在WO3的表面修饰了银纳米粒子。利用XRD、紫外-可见吸收、SEM、拉曼光谱仪等对所制备的Ag@WO3纳米花进行了表征,并以此作为表面增强拉曼的基底,研究了它对R6G的增强效果。2、WO3-x的制备及其表面增强拉曼的研究利用水热法制备了具有氧缺陷的非化学计量比的WO3-x,通过XRD、XPS、TEM等对它的价态和晶形进行了研究,确定成功制备了具有氧缺陷的WO3-x,并以此为基底研究了它对R6G的增强效果。本文通过在WO3表面修饰贵金属粒子或引入氧空位的方法,使WO3的一些光电性质发生了改变,大大提高了它的SERS性能。这种调控半导体材料的方法或许可以用于提升其他半导体基底的表面增强拉曼性能。