【摘 要】
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该文采用微波(2.45GHz) ECR沉积装置进行了用于平面光波导的SiO及掺Ge的SiO薄膜的制备.在Si基片上温度低于150℃、总气流量小于50sccm、气压为几个mTorr的SiH/O/Ar体系中,沉
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该文采用微波(2.45GHz) ECR沉积装置进行了用于平面光波导的SiO<,2>及掺Ge的SiO<,2>薄膜的制备.在Si<100>基片上温度低于150℃、总气流量小于50sccm、气压为几个mTorr的SiH<,4>/O<,2>/Ar体系中,沉积了膜厚范围为4000A~10μm的SiO<,2>薄膜在使用微波功 率为350W时,获得213 A/min的较高沉积速率.通过X射线光电子能谱(XPS)、傅立叶变换红 外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)和椭偏仪等测量手段分析了样品的薄膜结构和光学特性等, 结果显示在较低的沉积温度下,制备出均匀致密、性能优良的SiO<,2>薄膜.研究了工艺条 件与沉积速率和薄膜特性之间的关系,所研究的工艺参数包括沉积温度、微波功率、基片位置、工作气压、进气配比.
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