黄瓜腌渍过程中的电学特性研究

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腌渍黄瓜是我国主要的腌渍产品之一,鉴于目前腌渍蔬菜的理化指标多采用繁琐的化学试剂法检测,本文研究了腌渍黄瓜的理化品质并采用平行板电极法分别于100 Hz~10 MHz、10 k Hz~120 MHz频率区间分析了腌渍黄瓜的电学特性,并对理化品质和电学特性进行了相关性分析,建立了与品质指标相关的回归方程和预测模型,为腌渍黄瓜及腌渍产品品质理化指标的快速和无损检测提供参考。对腌渍黄瓜的主要品质参数进行分析,结果表明:在5天的腌渍过程中黄瓜的盐分含量逐渐升高,水分含量下降,样品组织硬度和脆度降低,果实质地结实度减少;亚硝酸盐含量呈现先增加后降低的趋势,在腌渍2天时增至最高浓度42.05 mg/kg,腌渍4天后含量降至24.63 mg/kg,属于安全食用范围。根据黄瓜的组织学特性推测并构建了黄瓜的电路模型和等效电路码R(CR)(CR)。对腌渍黄瓜的电学特性进行考察,结果表明:由于细胞膜的容抗特性,黄瓜的阻抗幅值Z、并联等效电阻Rp、并联等效电容Cp随着频率的增加逐渐减小,随腌渍时间的延长而减小,电导G、导纳Y的变化趋势则与之相反;介电常数ε’和介电损耗因子ε’’均随频率的增加而减小,随着腌渍时间的延长而增大;电路品质因数Q在低频区即100 Hz左右和高频区即1 MHz左右较大,而随腌渍时间的延长无显著规律性变化。通过对腌渍黄瓜的理化品质和电学特性相关性分析,发现特征频率下腌渍黄瓜的Z值、Rp值与水分含量、p H、硬度、脆度间存在极显著的正相关性(P<0.01),同时与盐分含量、总酸含量存在极显著的负相关(P<0.01);ε’、ε’’与黄瓜的水分含量、p H呈显著的负相关(P<0.05),与盐分含量、总酸含量呈显著的正相关(P<0.05)。对理化指标参数的回归分析表明,基于介质传导理论,Z值和R值分别与水分含量、盐分含量间存在明显的线性回归关系,量化水分含量和盐分含量的最佳线性模型分别为y=0.0352x+88.736(式中x为10.63 k Hz下的R)和y=-0.0104x+6.5898(式中x为100 Hz下的Z)。10.63 k Hz下的R值可作为量化腌渍黄瓜水分含量的主要电参数,而100 Hz下的Z值可有效量化盐分含量、硬度和脆度,100 Hz和9.42 MHz下的G值分别可有效量化总酸含量和p H,相应的预测方程具有较高的回归系数。亚硝酸盐含量和游离氨基酸含量与电学特性的相关性较小,回归方程的决定系数较小,表明电学参数不适用于腌渍黄瓜的微量元素定量分析。对水分含量、盐分含量、硬度、脆度、p H值的最佳预测模型进行检验,结果表明该模型具有高的预测精度,可准确地进行腌渍黄瓜品质指标的快速检测。对腌渍黄瓜的电学特性进行模拟,模拟计算所得的不同腌渍时间下黄瓜的阻抗、电阻、导纳、电导与测试值结果相近。
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