CuInS2及CdS敏化的纳米结构太阳电池构筑和性能研究

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纳米结构太阳电池属于第三代太阳电池,有望通过低成本实现高效率。本论文深入研究了CuInS2(CIS)和CdS量子点敏化的纳米结构太阳电池中影响电池效率最关键的界面问题,以期给出改进纳米结构太阳电池效率的可行方案;发展了硫化物对电极(替代昂贵的铂电极)的低成本制备方法;获得了效率>3.0%的CdS量子点敏化纳米结构太阳电池。本文取得的主要结果如下:  一、CIS量子点敏化的纳米结构太阳电池:通过电化学阻抗谱及循环伏安法研究发现TiO2/CIS界面存在严重的界面极化和漏电流,通过CdS和ZnS表面处理,能够有效消除了界面极化、抑制漏电流、提高电池效率;进一步研究发现ZnS与CdS界面处理的作用机制是不同的:CdS的作用是钝化TiO2的表面态,抑制复合;而ZnS的作用是形成界面势垒,防止电子回流。  二、CdS量子点敏化的纳米结构太阳电池:通过优化TiO2基底层、CdS光吸收层和ZnS界面处理层,给出了CdS量子点敏化太阳电池的最佳设计方法,发现界面电偶极层可以显著增加电池的开路电压,获得了效率超过3.0%的太阳电池(文献中该体系电池的最高效率小于3.0%)。  三、金属硫化物对电极:采用旋涂和液相硫化法在FTO衬底上制备了多孔的金属硫化物(CoS、PbS和CuS)对电极,解决了电极材料与衬底结合不够紧密的问题;实验发现金属硫化物对电极比Pt对电极具有更好的导电性和更高的电催化活性。
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