【摘 要】
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TiO2作为一种极具前景的介质材料被应用到薄膜技术中来，引起了国内外研究者的极大兴趣。作为光学膜，TiO2薄膜在可见光区透射率高，折射率大，化学稳定性高、强度大、硬度高，是非常重要的光学膜，己被广泛地应用于抗反射涂层、干涉滤波片、电致变色窗和薄膜光波导。作为电学膜，TiO2薄膜的绝缘性能好，可作为大规模集成电路的保护层。TiO2的介电常数很高，可用于半导体器件MEMS、MOS等的栅介质。随着薄膜科
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TiO2作为一种极具前景的介质材料被应用到薄膜技术中来，引起了国内外研究者的极大兴趣。作为光学膜，TiO2薄膜在可见光区透射率高，折射率大，化学稳定性高、强度大、硬度高，是非常重要的光学膜，己被广泛地应用于抗反射涂层、干涉滤波片、电致变色窗和薄膜光波导。作为电学膜，TiO2薄膜的绝缘性能好，可作为大规模集成电路的保护层。TiO2的介电常数很高，可用于半导体器件MEMS、MOS等的栅介质。
随着薄膜科学与技术的发展，各种薄膜制备方法得到了迅速发展，传统的所谓镀膜，已从单一的真空蒸发发展到包括蒸镀、离子镀、溅射镀膜、化学气相沉积(CVD)、PECVD、MOCVD、分子束外延(MBE)、液相生长、微波法及微波电子共旋(ECR)等在内的成膜技术。其中等离子体辅助电子束蒸发技术是一种常用的薄膜制备技术，它具有成膜质量高，速率可控性好，通用性强等优点。
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同时，利用传统的高真空电子束蒸镀技术，结合产生高密度的等离子体源的TCP技术，在玻璃衬底上制备了TiO2薄膜。研究了在不同沉积气压、基底温度等工艺条件下制备TiO2薄膜。通过XRD、AFM、UV-Vis、FI-IR等测试结果表明，制备锐钛矿相Ti0：薄膜的最佳工艺条件为：衬底温度250℃，电子束电流150mA，射频功率246W，沉积气压0.08Pa，氧氩比2:1，沉积时间20min。并研究了退火温度对薄膜成分、结构的影响。研究结果表明，在300℃～500℃之间随着退火温度的升高，Ti02薄膜向锐钛矿相转变，并向(101)相取优生长。
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压力传感器是第一类产业化的MEMS器件。早期的压力传感器主要应用于国防、工业、汽车等领域，由于近年智能电子和物联网的快速发展，传统基于硅湿法刻蚀和双面光刻的技术不能满足微型化、低成本、高性能的需求。以国际笼头企业Robert Bosch和ST Microelectronics为代表的MEMS制造商，开发了SON（Silicon-on-Nothing）结构制备硅压阻隔膜和空腔，避免了双面光刻的问题，
微波能量传输能够为电子设备提供远距离无线供电,在物联网、人体局域网、无线传感网络、生物医疗等各个领域有广泛的应用前景。然而,将微波无线能量传输技术应用于移动目标无线供电时,仍然存在着空间损耗大,无法实时跟踪目标传能等问题。针对这些问题,本文研究基于回复式反射聚焦原理的微波无线能量传输技术,从硬件变频和软件数字波束赋形两种技术途经出发,分别提出了对单个和多个移动目标形成跟踪波束的无线能量传输系统架构
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当前，全球集成电路产业正在步入颠覆性的技术变革时期，我国集成电路产业发展也迎来了重大的发展机遇。然而随着集成电路设计的日益复杂，越来越多的设计厂商开始采用第三方IP（Intellectual Property）核来缩短芯片的研发周期、减少研发费用，但与此同时也带来了安全隐患。如果芯片设计过程中使用的第三方IP核中嵌入了具有恶意功能的硬件木马，则会对使用该芯片的金融、国防等诸多关键领域造成严重影响。
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