二维铁基材料（FeX,X=S,Se,Te,O）由于其独特的高温超导、室温本征铁磁有序等物理现象引起了科学家们广泛的研究兴趣,这为探索强关联物理提供了一个全新的平台。二维铁基材料具有优异的电磁输运性质,为新一代纳米电子器件、自旋电子器件应用提供了新的机遇。到目前为止,二维铁基材料种类较少、缺乏可控合成方法且在物理特性探索领域仍处于起步阶段。基于上述问题,本论文从新型二维铁基材料的可控合成出发,通过化学气相沉积方法（CVD）在云母衬底上实现了新型Fe7S8纳米片和Fe3O4纳米片阵列的外延生长。同时对二维Fe7S8纳米片电子结构和低温输运性质以及二维Fe3O4纳米片磁学性质进行了系统研究。本论文具体内容如下:（1）开展了二维Fe7S8纳米片可控合成与电磁输运特性研究。首次通过常压化学气相沉积方法（APCVD）,在云母衬底上实现了二维非层状Fe7S8纳米片的可控合成。多种表征手段证明CVD制备的二维Fe7S8纳米片具有高结晶质量和出色的环境稳定性。理论计算与电输运结果证明二维Fe7S8纳米片具有金属性质,其电导率最高可达到～1.2×10~5 S·m-1。低温磁输运结果表明,二维Fe7S8纳米片在垂直磁场方向上具有正的、二次依赖的不饱和磁致电阻（MR）。并且MR呈现出明显面外各向异性。环境稳定的二维Fe7S8纳米片的可控合成为低维物性探索和电子器件应用奠定了基础。（2）开展了二维Fe3O4纳米片阵列合成与磁学性质研究。利用APCVD方法,在云母衬底上实现了二维Fe3O4纳米片阵列的外延生长。二维Fe3O4纳米片阵列取向一致的生长行为是由云母衬底中的钾原子与Fe3O4氧原子形成化学键所致。此外,二维Fe3O4纳米片呈现室温亚铁磁性,且具有明显的磁各向异性,易磁化轴位于面内。室温二维亚铁磁Fe3O4纳米片的合成为发展低维自旋电子学以及构筑高性能自旋电子器件开辟了新的路径。总结了二维Fe7S8与Fe3O4纳米片大畴区、大面积的可控合成;概述了二维Fe7S8与Fe3O4纳米片的低温输运特性和室温亚铁磁性;最后讨论了二维铁基材料在可控合成和新奇物性研究中存在的科学问题以及未来发展方向。