宽禁带半导体ZnO材料由于具有优异的光电性能引起了人们广泛的兴趣,其在紫外激光器、太阳能电池、传感器等方面有着广泛的应用前景。ZnO的自组织行为使人们可以获得许多形态各异,特殊用途的低维材料及其器件。目前对ZnO低维材料的研究多集中于制备新的形貌及高度取向的阵列方面,很少有关于控制材料尺寸的相关报道。本论文针对此问题,采用简单的水热过程,自组织生长了ZnO微米管,并通过在基片上预先生长ZnO中空球的方法实现了对微米管的可控生长。对自组织生长和可控生长的ZnO微米管分别进行了制备工艺及光学性能的研究:1.研究了自组织生长ZnO微米管的制备工艺,认为以前驱物浓度为0.5Mol/L,温度为120℃保温2小时,185℃保温6小时的条件下能够制备出形貌规则的ZnO微米管。2.研究了自组织生长ZnO微米管的发光性能,存在较强的近带边紫外发射和较弱的深能级发射两部分发光。热处理对紫外发光和深能级发光的影响不同,450℃以下的热处理能够提高紫外发射,抑制深能级发射,450℃以上的热处理则会增强深能级的发射,降低紫外发射。3.探索以预先生长了ZnO中空球层的玻璃基片为衬底实现ZnO微米管的可控生长的研究。结果发现ZnO中空球层对ZnO微米管的生长起到了晶核的作用,能够在玻璃衬底上形成形貌规则的ZnO微米管;改变ZnO中空球的粒径能够改变所形成的ZnO微米管的尺寸,从而实现了对ZnO微米管的可控生长。4.研究了可控生长ZnO微米管的最佳工艺条件:前驱物溶液浓度为0.5Mol/L,185℃下保温6小时。5.研究了可控生长条件下的ZnO微米管的发光性能,结果发现也存在两部分发光:较强的近带边紫外发射和较弱的深能级发射。