在GaN体系中加入氮化铝（AlN）,AlGaN基LED发射波长可以实现400-210nm全光谱覆盖,在固化、印刷、消毒以及生物标识和鉴定等方面有广泛应用市场。目前UV LED光电转化效率与出光功率仍较低,AlGaN基UV LED透明电极存在对紫光的吸收。因此,UV LED透明电极的研究对提高芯片光电性能,具有重要意义。本文对金属掺杂透明导电薄膜的制备方法进行了深入研究,制备了两种与p-GaN表面接触的透明电极薄膜。通过对ITO薄膜掺杂金属Al和Ti,提高了薄膜在紫外波段的透过率并降低了薄膜方块电阻。实验结果表明:掺Ti和Al薄膜的透过率在395nm和365nm最高分别可达90.8%和91.2%,掺3nm金属Al使ITO薄膜方块电阻从45Ω/□降低至38.9Ω/□,电阻率为3.1×10^-4Ω.cm。利用金属掺杂ITO薄膜分别制备395nm和365nm AlGaN基UV LED,在120mA注入电流下,器件电压比80nm ITO薄膜的UV LED分别下降0.5V和0.3V,光输出功率分别提升19.7%和14.7%。研究制备了一种新型的金属掺杂Ga₂O₃透明导电接触薄膜。利用磁控溅射生长Ni/Ga₂O₃/Ag/Ga₂O₃多层薄膜（Ni-M-Ga₂O₃薄膜）,经测试,在335nm波长处透过率达到85.6%,与90nm ITO薄膜相比,其方块电阻降低28Ω/□,电阻率降低81.7%,透过率提高1.48倍。此外,对掺Ni/Ag的Ga₂O₃薄膜与表层p-GaN的欧姆接触特性进行了分析,在60mA注入电流下,Ni-M-Ga₂O₃薄膜制备的365nm紫外LED芯片比90nmITO薄膜LED制备的LED芯片光输出功率高31.1%。ITO-M-Ga₂O₃薄膜在365nm透过率达到92.68%,方块电阻为20.1Ω/sq,相比90nm ITO薄膜透过率提高1.18倍。同时利用ITO-M-Ga₂O₃薄膜制备的365nm LED芯片在120mA输入电流下,光输出功率可达15.29mW,相比90nmITO薄膜11.34mW提高34.8%。实验结果表明:M-Ga₂O₃薄膜在紫外波段有较高透过率,较低方块电阻以及较低的欧姆接触电阻率,具有良好的发展前景。