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有机电致发光器件(OLEDs)因其在高质量平板显示和固体照明领域巨大的潜在应用价值吸引了科学界和产业界广泛的研究兴趣。载流子注入和传输是OLEDs中基本的物理过程,对器件的光电性能有着重要影响。由于有机半导体薄膜的结构无序性、材料多样性使得载流子传输的物理过程十分复杂。本文在OLEDs阳极一侧引入CuI薄层或将CuI掺入空穴注入/传输材料中,研究了CuI对器件载流子注入和传输性能的影响。CuI的引入对于降低器件的开启电压、提高功率效率具有重要意义。另外,我们研究了8-羟基喹啉金属配合物的载流子传输特性和发光特性,该研究对于制备高性能的白光器件具有重要意义。我们首次将过渡金属化合物CuI以不同比例分别掺入空穴注入材料m-MTDATA中,制备了一组结构为ITO/m-MTDATA:CuI/m-MTDATA/NPB/Alq3:C545T/Alq3/LiF/Al的有机器件,研究了不同比例m-MTDATA:CuI对器件载流子注入性能的影响。不同比例的CuI掺入空穴注入材料m-MTDATA,增强了OLEDs的空穴注入和传输能力,有效降低了有机器件的工作电压,提高了器件的功率效率。m-MTDATA:CuI器件的最大发光亮度为44760 cd/m2。当驱动电压为5.5 V时,器件的最大功率效率为6.6 lm/W。将CuI掺入空穴传输材料NPB中,制备了一组结构为ITO/NPB:x wt.%CuI/NPB/Alq3/LiF/Al的有机荧光器件。将CuI掺入空穴传输材料NPB显著提高了器件的空穴注入和传输性能。分别制备了CuI作为空穴注入层和NPB:CuI作为空穴传输层的有机磷光器件。当驱动电压为10 V时,含CuI器件的亮度超过了未含CuI器件发光亮度的10倍以上,表明CuI薄层或CuI掺杂层的引入降低了器件的工作电压,同时大幅度提高了器件的发光亮度。当电流密度大于5 mA/cm2时,相同电流密度下,10 wt.%CuI掺杂NPB的器件获得较高的电流效率,最大电流效率为12.3 cd/A。CuI掺杂结构器件最大功率效率为9.8 lm/W,已超过了不含CuI器件最大功率效率的2倍。8-羟基喹啉铝(Alq3)是一种综合性能非常优秀的电子传输材料和发光材料。对8-羟基喹啉的2位进行结构修饰,使用该配体与金属锌配位,形成新的2-取代喹啉锌化合物MCzHqZn。我们采用MCzHqZn作为黄光材料,制备了结构为ITO/2T-NATA/NPB:2 wt.%MCzHqZn/BCP/Alq3/LiF/Al的发光色坐标接近白光等能点、高显色指数、色坐标稳定的白光器件。器件的最大电流效率为2.3 cd/A,对应色坐标为(0.320,0.347),接近白光等能点(0.333,0.333)。发光色坐标在(0.310-0.324,0.333-0.335)范围时,器件的显色指数(CRI)为78-81,当器件的发光亮度为8532 cd/m2时,器件的色温为5914 K。发光亮度从1000增至5000 cd/m2,器件的电流效率仅衰降了9.0%。