Co薄膜以其高饱和磁化强度和特殊的晶体结构被广泛地应用于高频磁记录、巨磁阻和垂直磁记录等领域。Co薄膜在制备和使用过程中不可避免的和基体之间发生扩散行为,进而严重地影响薄膜的磁性能。薄膜的扩散行为具有扩散温度低、速度快和少量扩散即对薄膜性能有明显影响等特点。作为一种极端的条件,强磁场以其独特的无接触、高能量的方式对物质的扩散产生明显的影响。但是前人的研究大多针对块体材料的扩散行为,因此研究强磁场下的薄膜扩散具有重要的意义。本文在强磁场下对Co/Si(100)扩散偶进行了热处理,通过XRD、XPS、TEM、VSM对样品进行表征,研究了强磁场对Co/Si(100)扩散、Co薄膜的相变和Co薄膜磁性能的影响。从磁自由能和磁有序化理论出发对实验现象进行了初步的理论分析。得到以下结果：1.随着温度的升高,强磁场对Co/Si(100)扩散的作用是非线性的,表现为先促进后抑制再促进的影响规律。2.在较低温度下,强磁场通过促进Co/Si(100)的扩散对其磁性能产生影响,降低Co/Si(100)的饱和磁化强度和矫顽力。3.在较高温度热处理,强磁场使高温的fcc-Co相保留到室温,造成Co/Si(100)的饱和磁化强度下降,矫顽力上升；此时,与强磁场下扩散行为的变化对磁性能作用效果相比,强磁场下晶体结构转变对磁性能的作用效果更为显著。