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磁性薄膜及异质结构的电输运特性是自旋电子学的重要研究内容。CoFeB薄膜具有比普通铁磁性金属Fe、Co更高的自旋极化率、居里温度高于室温,是一种重要的铁磁性电极材料。研究CoFeB薄膜及异质结构的电输运特性对于拓展CoFeB薄膜在自旋电子学器件中的应用有重要意义。我们采用对向靶磁控溅射系统制备了CoFeB薄膜和CoFeB/SiO2/n-Si异质结构;研究了CoFeB薄膜的表面形貌、微观结构、磁性、电输运特性和反常霍尔效应的标度理论;对CoFeB/SiO2/n-Si异质结构在电流平行于薄膜表面（CIP）和电流垂直于薄膜表面（CPP）模式下的电输运特性以及霍尔效应进行了系统分析。室温沉积的CoFeB薄膜为非晶态,表面平整,粗糙度小。CoFeB薄膜经过400oC退火后出现Co Fe（110）峰,表明结晶。非晶CoFeB薄膜为典型的面内各向异性的软磁性材料,饱和磁化强度随温度变化不明显。随着厚度的增加,CoFeB薄膜的磁滞回线表现出跨临界磁滞（Transcritical Hysteresis Loop）行为。非晶CoFeB薄膜的霍尔电阻率首先随着磁场的增加而线性增大,当磁场增加到20 k Oe左右时,霍尔电阻率饱和。在整个过程中反常霍尔电阻率始终占主导地位。CoFeB薄膜厚度减小后,反常霍尔电阻率增大。CoFeB薄膜经过退火后,反常霍尔电阻率减小。在低温下,非晶CoFeB薄膜的纵向电阻率和反常霍尔电阻（导）率会受到电子局域化的修正。在电子局域化修正条件下,非晶CoFeB薄膜的反常霍尔效应的标度关系在低温和高温区域表现出两种不同的变化行为。在CIP模式下,CoFeB/SiO2/n-Si异质结构的纵向电阻率随着温度的升高先增大后减小,导电特性呈现金属-绝缘体转变。霍尔效应的特征随着磁场的增加经历了由反常霍尔效应向正常霍尔效应的转变。反常霍尔电阻率随温度的升高表现出先增大后减小的行为。我们提出了一个双电流模型来解释CoFeB/SiO2/n-Si异质结构的电输运特性。在CPP模式下,CoFeB/SiO2/n-Si异质结构的I-V曲线具有反向二极管整流特点。磁电阻在200 K达到峰值（Temperature Peak Type）,大小为2300%。CoFeB/SiO2/n-Si异质结构的磁电阻效应源于磁场控制的碰撞电离,施加磁场后扩散电压增大。这种大正磁电阻效应拓展了CoFeB薄膜在自旋二极管中的应用。