由于传统的硅的生产技术已经很成熟，所以在光电集成中，依然采用晶体硅作为基底，继续沿用高度发展的硅集成工艺。如果能够使硅基材料在可见光范围内具有良好的发光特性，那么这种重要的半导体材料则有可能在飞速发展的光电子学中成为下一代电子学革命的基础材料。本论文研究的目标是探讨半导体颗粒在硅基薄膜中的形成机理，研究的结果不但有利于确定制备特定结构的硅基薄膜，而且亦有利于其发光机理的进一步探索。 论文采用双离子束溅射和射频磁控溅射沉积技术，通过改变薄膜沉积过程中基片温度（T_s）以及薄膜制备完成后退火温度（T_a）分别制备了Si-SiO₂和Ge-SiO₂薄膜。运用XRD和TEM等手段对结构进行分析。 从溅射薄膜沉积时或退火处理时的薄膜中颗粒的热力学和动力学的角度以及是否存在化学反应对半导体颗粒的形成机理做了进一步的探讨。运用这些运动模型和反应形式可以对薄膜的结构差异做出解释。 最后对两种薄膜的光致发光特性进行了研究。