1971年蔡绍棠从理论完备性的角度出发,提出除电阻、电容、电感之外的第四种基本无源电路元件忆阻器.2008惠普实验室实现了忆阻器,引起了广泛关注。在近11年内,大量研究表明柔性忆阻器不仅具备信息存储、模拟电路、类脑神经形态计算、逻辑计算以及多功能耦合等忆阻器的基本应用,而且具备便携、可穿戴以及可植入等潜在应用而激起大批研究者的兴趣而被广泛研究。柔性忆阻器对于电极与活性层材料的柔韧性、器件的多进制产率,变形电阻稳定性均有特殊要求,因此,目前柔性忆阻器材料成为应用的巨大挑战。本文通过聚多巴胺、Spiro-OMeTAD与聚磷酸铵等柔性材料的电阻变化研究制备了电阻突变与电阻渐变的忆阻器,并且在提高器件信息存储产率以及人工突触模拟等方面深入探索。首先简单介绍了忆阻器的定义发展以及研究方式、目前成果以及潜在应用。紧接着简单介绍柔性电极于活性层材料应用于忆阻器的研究进展与论文研究意义。第二章通过无毒无害的方法在水溶液中快速制备廉价易得、柔韧性优异、生物相容性良好的聚多巴胺薄膜,成功制备简单便携的忆阻器件实现三进制存储性能。并且,实现在5000次弯折下依然具有稳定存储性能。解决了污染大、不可弯折、低进制存储的问题。第三章选取具有捕获收集电荷的太阳能材料作为忆阻器中间活性层,通过界面工程大大降低ITO表面功函数和界面电荷跃迁势垒,实现目前为止三进制最高产率的高密度存储。并且在弯折10000次的情况下,依然可保持基本稳定存储性能。解决了柔性差、低密度存储的问题。第四章选取具有污水处理、肥料添加剂、食品添加剂等作用的水溶性聚磷酸铵作为中间活性层成功制备性能优异的电阻渐变型忆阻器模拟人工突触。制备于不同基底表面具备可降解、透明可粘贴以及在导电硅胶表面弯折360°依然保持稳定模拟型忆阻性能。实现了全柔性、全成品、无污染的稳定忆阻器。