憎水性是室温硫化硅橡胶(Room Temperature Vulcanization, RTV)涂层的关键特性,RTV的憎水性将影响绝缘子的电场和污闪特性,需要深入研究。本文研究了RTV涂层憎水性检测方法及在电晕作用下憎水性丧失和恢复规律,分析了不同憎水性情况下绝缘子的电场和污闪特性,主要的研究内容和取得的成果如下：1、提出了基于动态接触角的硅橡胶憎水性检测方法,该方法提高了浸泡和染污时憎水性检测的准确性。提出了基于水平集的水珠边缘检测方法,有效提高了边缘检测的准确性和抗干扰能力,基于圆和椭圆拟合算法提高了接触角计算的准确性,基于Matlab建立了硅橡胶憎水性的动、静态接触角自动计算系统,实现了动、静态接触角准确、自动计算,计算时间减少为原来的1/40,大大节省了工作量,保障了憎水性检测的顺利进行。分析了水珠体积、水电导率、倾斜、环境温度和拍照延迟时间对接触角法测量结果的影响,分析结果有效提高了硅橡胶憎水性检测的准确性和稳定性。2、研究了交流电晕对硅橡胶表面憎水性的影响规律,研究首次发现了交流电晕后是否释放硅橡胶表面电荷将严重影响静态接触角的测量结果(误差可达70°),解释了交流电晕使硅橡胶表面产生电荷的机理,为了提高了憎水性检测的准确性,采用了接地和注水方式释放电荷。研究了硅橡胶类型、温度、重复电晕对电晕时憎水性丧失和恢复的影响,研究了电晕对浸泡导致憎水性丧失和恢复的影响。研究表明：电晕时HTV憎水性丧失速度快于RTV,恢复速度慢于RTV。高温电晕时憎水性丧失速度减慢。随重复电晕次数增加电晕时憎水性丧失速度变快,恢复速度变慢。恢复后的电晕对浸泡时憎水性丧失和恢复影响很小。3、研究了电场类型、远场和轴对称方式对绝缘子电场有限元分析结果的影响,发现设置不正确可导致高达-66%的误差,研究结果有效提高了基于有限元法的绝缘子电场分析的准确性。研究了RTV涂层及厚度、电阻率和介电常数对绝缘子电场分布的影响,结果表明它们对场强分布的影响可忽略。研究了亲水性时干带及其位置、宽度、电阻率等对绝缘子电场分布的影响,研究结果表明：柱体、伞裙上表面的干燥带越窄沿面场强畸变越严重,随伞裙下表面的干燥带宽度增加沿面最大场强未必明显下降,干带位置对场强略有影响,随干带电阻率增加最大场强增大并趋于稳定。研究了憎水性时分离水珠及其接触角、水电导率、间距对电场分布的影响,结果表明：存在分离水珠后沿面场强变大,变化速度加快,随水珠接触角增加/间距减少沿面最大场强增大,水电导率对场强影响很小。4、研究了Obenaus交流污闪模型中Hampton判据的适用性,给出了Obenaus交流污闪模型适合的临闪判据,有效提高了基于Obenaus模型的污闪电压预测的准确性。基于Obenaus污闪模型分析了弧飘和空气中电弧、电弧数量、电弧恢复条件等对亲水性/憎水性时绝缘子污闪电压的影响,结果表明：污闪电压与等效爬电距离近似成正比,电弧恢复条件对模型预测得到的污闪电压有明显影响,随电弧数量的增加污闪电压增大。