射频识别(RFID：Radio Frequency Identification)技术可利用先进的射频技术，依照约定的通信协议，无接触地实现对各类物体在不同状态以及各种恶劣环境下的自动识别和管理，近年来已越来越多地引起人们的关注。 为适应全球射频识别技术蓬勃发展的需求，本文参照超高频射频识别系统通信协议：EPCTM Radio-Frequency Identity Protocols Class-1 Generation-2 UHF RFID Protocol for Communications at 860 MHz～960 MHz(EPC C1G2通信协议)，设计实现了具有自主知识产权的应用于超高频射频标签数字处理系统的协议芯片。 论文首先分析了RFID技术的实质，介绍了超高频射频识别系统的工作原理以及EPC C1G2通信协议的具体技术要求，给出了芯片设计的系统结构框图以及芯片的具体设计方法。然后，描述了芯片的前端综合、后端物理实现方法和本文所采用的低功耗设计方法，并基于SMIC0。18μm标准CMOS工艺进行流片。流片后芯片的电路规模约为11000门，芯片面积为1553μm*1544μm。最后给出了芯片测试验证的方法和过程以及测试结果。对流片电路进行的测试，证明了芯片功能正确，完全实现了协议要求。流片电路在0.8V～1.8V电压范围内均可以正常工作。芯片的静态工作电流为2μA，芯片工作时，平均工作电流约为65μA。 今后将设计低功耗单元替换CMOS标准单元库中的单元电路，同时从结构级等更高层次上运用低功耗技术优化电路，向更低功耗迈进。另外，将增加标签的模拟部分，形成完整的标签芯片，争取早日实现产业化。