【摘 要】
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作为传统的宽禁带半导体材料,Ⅱ-Ⅵ族化合物在红外探测、热成像、发光二极管、薄膜光电器件、中远红外激光器以及光催化等领域有着广阔的应用前景。以Zn S和Zn Se为代表的Zn基Ⅱ-Ⅵ族化合物由于避免了重金属离子的毒性更能适应生产生活的需求。大量研究发现,通过向Ⅱ-Ⅵ族化合物中引入合适的掺杂元素,可以有效地改善其晶体结构和光电性能。本文采用固相烧结反应法制备Zn E:Co_x(E=S,Se,x=0.1
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作为传统的宽禁带半导体材料,Ⅱ-Ⅵ族化合物在红外探测、热成像、发光二极管、薄膜光电器件、中远红外激光器以及光催化等领域有着广阔的应用前景。以Zn S和Zn Se为代表的Zn基Ⅱ-Ⅵ族化合物由于避免了重金属离子的毒性更能适应生产生活的需求。大量研究发现,通过向Ⅱ-Ⅵ族化合物中引入合适的掺杂元素,可以有效地改善其晶体结构和光电性能。本文采用固相烧结反应法制备Zn E:Co_x(E=S,Se,x=0.1,0.3,0.5.)靶材。然后利用脉冲激光沉积技术在蓝宝石衬底上分别沉积生成薄膜。在薄膜制备中通过改变C
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