【摘 要】
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随着以GaN材料为代表的第三代半导体材料的出现,GaN HEMT以其禁带宽度宽、热传导率高、击穿场强高和峰值电子漂移速度高等优异的性能而广受关注。而基于GaN材料的宽带功率放
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随着以GaN材料为代表的第三代半导体材料的出现,GaN HEMT以其禁带宽度宽、热传导率高、击穿场强高和峰值电子漂移速度高等优异的性能而广受关注。而基于GaN材料的宽带功率放大器更是在无线通信系统、无线局域网络和电子对抗、雷达系统等中广为应用。如今各种民用和军用领域的应用系统对微波功率放大器模块的性能指标要求越来越高,特别是在宽带宽、高效率、高线性度等方面,因此当下宽带功率放大器已经成为一个热门的研究方向。本论文的工作是研究基于GaN材料的宽带功率放大器,研究的工作主要有以下几点:1.梳理宽带功率放大器的基础理论知识。在查阅国内外宽带功率放大器的研究现状的基础上,整理出宽带功率放大器的几种常用的拓扑结构,并从这些文献的查阅整理中得出本课题的设计思路。2.设计一款L波段宽带功率放大器,该宽带功率放大器采用多枝节T型匹配网络进行阻抗匹配。在0.8~2GHz的工作频带内,输出功率大于60W,功率附加效率大于45%,大信号增益大于8dB,增益平坦度小于?1dB。3.设计一款S波段宽带功率放大器,该宽带功率放大器是为了验证该晶体管采用这种多枝节T型匹配网络结构在S波段的适用性。设计的指标为在2~4GHz的工作频带内,输出功率大于60W,功率附加效率大于45%,大信号增益大于8dB,增益平坦度小于?1dB。
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