【摘 要】
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ZnO是一种具有压电和光电特性的六角纤锌矿结构的直接带隙宽禁带半导体材料,室温下其禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,保证了其在室温下较强的激子发光。而且ZnO由于
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ZnO是一种具有压电和光电特性的六角纤锌矿结构的直接带隙宽禁带半导体材料,室温下其禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,保证了其在室温下较强的激子发光。而且ZnO由于其优异的光电特性,使得它在发光(激光)二极管、紫外探测器、气敏元件、平板显示器等领域都有很好的应用前景。为了获得增强的紫外发射,探索掺杂调控ZnO本征发光及可见发光的关系,本文对Dy掺杂的ZnO纳米粒子的微结构和光学特性进行了研究。利用水热法制备了粒径均匀的ZnO纳米粒子。光致发光谱中观察到在385nm处ZnO较强的紫外发射,同时在550-650 nm之间呈现了来自ZnO深能级缺陷的可见光发射带。在Dy掺杂的ZnO纳米粒子的X射线衍射谱中观察到了氧化锌的特征衍射峰,但未观察到与镝相关的衍射峰。实验结果说明Dy的掺入并没有影响ZnO的微结构。扫描电镜和光致发光结果表明随Dy掺杂浓度的增大ZnO表面形貌由纳米颗粒变为纳米针,并且ZnO紫外发射明显增强,没有观察到ZnO和Dy离子之间发生能量传递过程。这些都表明Dy离子可能没有掺杂到ZnO晶格当中,而是钝化了ZnO纳米粒子的表面。
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