热丝CVD方法制备取向纳米碳管及单层纳米碳管场发射研究

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该文是作者在北京大学物理系攻读硕士学位期间所做主要工作的总结,由三部分组成:1.热丝CVD设备介绍.此设备是作者自行设计的一套CVD设备.由于初次接触,经验不多.所以走了许多弯路,积累了一些经验和教训.这套设备加工完成之后运转良好,实验工作进展顺利.但是设备的特色之一,"等离子增强"未能够实现.这是最大的遗憾;2.利用热丝CVD方法制备纳央管取向膜.在石英基片上用湿法镀催化剂膜,采用甲烷作为裂解气体,成 功制备了纳米碳管直立取向膜.纳米碳管均为顶部生长,与其他科研小组的类似成果相比,方法有差别,结果也不同;3.在国内首次进行单层纳米碳管的场发射实验.测量了由电弧放电方法制备的单层纳米碳管场发射的I-V曲线.拍摄了单层纳米碳管束的场发射像.实验中 场发射阈值电压是所有文献报道中最低的.
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