量子点（QDs）是一类独特的纳米级光电材料,因具有半峰宽窄、色纯度高、发射光谱可调和优异的光致发光量子产率等特点而受到了广泛的关注和研究。基于QDs的发光二极管（QLED）,相比传统的LED和OLED具有许多优势,如单色性更好、热稳定性更高、光谱覆盖范围更大等,有望用于显示和照明方面。为了最大限度地利用QDs的优越性能,科研工作者对QDs合成以及QLED的器件架构进行了深入研究。目前经典的器件构型是有机、无机材料多层结构,每个功能层在薄膜质量方面应追求有序的分子排列、良好的表面形态、均匀的厚度。QDs层作为核心发光层,其薄膜形貌和厚度对提高QLED器件的外量子效率（EQE）和亮度等光电性能至关重要。由于QDs无机半导体纳米晶的属性,基于溶液体系的薄膜构筑技术,例如旋涂法、喷墨打印法、转印技术等是QDs膜构筑的主要手段,但均难以实现QDs大面积、紧密堆积、高度有序的单分子层。Langmuir-Blodgett（LB）技术已被广泛用于纳米颗粒和纳米线的受控组装和图案化,相比于其它膜构筑方法,LB技术能精确控制分子堆积密度,实现大面积、均匀单层或多层薄膜沉积,其特点是先将材料组装成薄膜,后转移到固体基底上,对于多层体系,不用考虑所使用的溶剂对已沉积功能层溶解破坏。本课题中,选择LB法制备QDs单层薄膜,通过改变转移次数调整器件中QDs膜厚度,研究QDs层对器件性能影响。本论文的主要研究内容如下:1、QDs膜的制备首先,选择正辛烷、正己烷、甲苯、氯仿四种溶剂,分别配置1-18 mg/m L不同浓度的QDs溶液,保持温度、仪器设备参数不变,确定最佳的溶剂及浓度。结果表明,不同溶剂的QDs溶液在水面铺展组装行为差异很大,使用氯仿溶剂时,与其他三种溶剂不同,QDs在水面组装行为,受浓度影响较大,当浓度较低时,液滴铺展挥发后,QDs组装成网格状,随着浓度的增加可组装成片状,浓度为12 mg/m L,薄膜形貌最好。然后使用最佳条件的QDs溶液,保持仪器设备参数不变,调整亚相温度,探索温度对QDs薄膜构筑的影响,结果表明,最佳温度为20-22℃,随着温度的升高,薄膜出现裂纹,薄膜上出现密集的点以及小孔洞,;确定了溶剂、浓度、温度,根据完整的表面压力与面积关系图,转移了不同表面压力下的水面QDs膜,不同表面压下,膜的状态是不同的,22-26 m N/m时,薄膜形貌最好,表面压较低时,薄膜不致密,过高时薄膜出现堆叠褶皱。2、QDs LB膜转移及表征将水面QDs膜转移到铜网、玻璃及旋涂有TFB的玻璃基底上,通过场发射透射电子显微镜（TEM）、荧光显微镜、扫描探针显微镜（AFM）对薄膜结构及表面形貌进行观察,结果表明,通过改变条件,QDs膜结构及表面形貌有很大变化;同时,光致发光（PL）光谱表明薄膜的形貌对PL性能有着很大的影响,随着薄膜厚度（层数）的增加,荧光峰值强度线性增加。3、QLED器件制备由于LB薄膜是在水面组装的,水对QDs和其他功能层都有影响,所以在旋涂氧化锌之前,先做退火处理,退火温度选择了60℃、80℃、100℃,退火时长为0.5 h、1h,结果表明,80℃退火0.5 h,器件性能最好。在此基础上,研究了QDs膜厚度的影响,通过转移1层、2层、3层调节QDs膜厚度,结果表明,随着层数的增加,器件峰值EQE变化不大,但是最大亮度明显降低,相同电压下,电流密度随着层数的增加而下降。