本文对利用溶胶-凝胶与碳热还原法制备的一维(lD)SiC纳米材料进行了深入的电子显微学分析。在分析中我们发现了许多具有特殊结构与形貌的lD SiC纳米材料，有许多形貌特征与生物界的很多个体非常相似。 在细致的电子显微学研究之后，本文认真研究了它们的生长机理，并搭建了一些生长模型来试图解释它的生长机理。 本文对两大类lD SiC纳米材料进行了细致地研究：一类是在溶胶-凝胶法制备的过程中添加了催化剂Ni。第二类是在利用溶胶-凝胶法制备的过程中没有添加任何催化剂。在第一类样品中本文根据在制备过程中Ni的添加量的多少以及制备时间的长短和最后对样品处理程度的不同分别进行了取样分析，并将其分成了1号到7号样品；在第二类没有使用任何催化剂制备的lD SiC纳米材料中本文直接研究了是经过酸化处理后的成品。 在对第一类的1号到7号样品进行研究的过程中发现并没有表面光滑，并且长径比比较大的lD SiC纳米材料生成，只有在3号和7号中发现了明显的具有lD结构的SiC纳米材料的出现，并且在3号样品中发现了一种“中间孪晶纳米线与外围螺旋纳米线偶合”的特殊lD SiC结构，在本文中将其简称为PHC SiC纳米结构(pillar-helix coupled SiC nanostructure)。并且本文在对它进行了细致的电子显微学表征后提出了它的生长机理。 在对第二类样品进行研究的过程中发现了许多类似生物界许多个体的lDSiC形貌的出现。比如，竹状、球链状等等。在对其进行了细致的电子显微学表征后也对其提出了生长机理，这项研究或许对研究生物界的许多生长现象具有参考意义。 最后本文提出了生长过程中的能量最低原则仍然是各种结构与形貌特征的lD SiC纳米材料生长的根本动力。