智能功率模块(Intelligent Power Module,IPM)将逻辑控制电路、高压功率器件、保护电路和输出电路集成在同一块芯片中,使得整个系统具备集成度更高、更加可靠以及成本更低等优点,它已经广泛应用在空调、电机和冰箱等中小型功率领域。其中绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(Silicon On Insulator-LateralInsulatedGateBipolarTransistor,SOI-LIGBT)器件具有泄露电流小、绝缘性好、寄生电容小等优点,成为智能功率模块中重要的一种功率器件。本文对国内外现有的减小关断时间、提高短路能力的技术进行了调研和理论总结,并对传统U沟道厚膜SOI-LIGBT器件的短路特性和开关特性进行测试和仿真分析,发现导致传统U沟道器件短路能力弱、关断时间长的根本原因,结合上述调研和仿真分析,本文采用了新型沟槽隔离阳极短路结构的U沟道厚膜SOI-LIGBT器件。在减小关断时间方面,新型U沟道器件采用了隔离沟槽和阳极短路结构,为器件在关断状态时提供了一条载流子的排空路径,有效减小了拖尾电流阶段的时间,降低了关断时间。在提升短路能力方面,通过调节新型U型沟道的沟道角度α,消除了额外热点,提高器件的短路能力。最后,对器件的版图进行设计,并对流片后的wafer进行测试。流片测试结果表明:新型器件在其他参数没有退化的前提下,关断时间从486ns减小为196ns;在25℃条件下,短路时间达到了 13.4μs(Vge=5V,Vc3=300V),满足设计指标。