目前在太阳能电池生产领域中,铸造多晶硅电池占有主导地位,但是其内部存在的高密度位错和晶界严重影响其电学性能,从而影响多晶硅太阳电池的能量转换效率。本文报告我们就铸造多晶硅内部位错及其热处理消除技术开展的基础研究工作,以期为减少多晶硅内部位错、提高多晶硅太阳电池的转换效率提供参考。本文主要内容包括：研究铸造多晶硅内部位错密度的大小、分布以及位错对多晶硅材料电学性能的影响；高温退火的温度和降温速率对铸造多晶硅片(厚度<0.2mm)及硅块(厚度>1Omm)内部位错密度的影响研究。研究结果表明：实验所用铸造多晶硅内部的位错密度基本都处在105/cm2量级,而且位错密度从硅锭底部到顶部呈现逐渐降低的趋势,同时发现位错确实是影响材料电学性能的重要因素之一,即位错密度高的区域,少数载流子的寿命低,反之亦然。对铸造多晶硅片进行1000℃～1400℃的高温退火实验发现,多晶硅片经过1320℃及以上温度高温退火并缓慢冷却(降温速率≤7℃/min)处理后,其内部的位错密度会显著下降,当退火温度达到1340℃时,其内部的位错密度可降低51.7%。但是研究也发现,铸造多晶硅块经过1340℃高温退火并以2℃/min的降温速度缓慢冷却处理后,多晶硅块内部的位错密度并没有降低,反而有一定程度的升高。文中结合计算模拟分析对实验结果及其生产实践参考价值进行了讨论。