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环丙沙星残留对生态环境危害巨大,使病源细菌产生抗药性,从而使环丙沙星对其失去功效,严重威胁着人类健康和社会的可持续发展。同时,这种污染物在环境中通常是以微量或痕量的形式存在,但却含有高毒性特点。光催化技术以半导体为催化剂,光为能量,将有机污染物矿化为H2O,CO2和其他无毒无害的小分子,是一种高效、无污染、低成本的高级氧化技术。ZnFe2O4,常见的磁性半导体光催化材料,具有禁带宽度较窄、光化学性能稳定以及磁分离性能优异等特点,促使其在光催化领域中占有重要一席之地。此外,通过分子印迹技术制备的分子印迹聚合物可以提供专一性吸附能力,其能够将环境中微量或痕量的污染物优先吸附在催化剂的表面;且聚合物性质稳定、合成成本低、易于大量制备。因此,本论文中结合光催化技术和分子印迹技术的优点,制备出对特定污染物具有高效选择性去除能力的印迹光催化剂,并考察不同合成因素合成的印迹光催化剂对环丙沙星的去除效果。本工作主要包含以下三个方面的内容:（1）通过浸渍煅烧法制备ZnFe2O4@ZnO光催化剂并以其作为载体,再利用分子印迹技术包覆一层传统印迹聚合物,制备出Zn Fe2O4@ZnO印迹复合光催化剂。利用XRD、FT-IR、SEM（EDS）、TEM、UV-vis DRS、VSM、PL、EIS、氮气吸附-脱附实验、XPS和ESR技术对催化剂的形貌、结构及性能进行测试。此外,还详细的考察了不同ZnO复合量和不同单体加入量对印迹光催化剂的影响。最后,分别对比恩诺沙星和5-磺基水杨酸,考察Zn Fe2O4@Zn O印迹复合光催化剂对环丙沙星的选择性降解效果。（2）通过溶剂热法制备ZnFe2O4,再在其表面包覆一层导电印迹聚合物层,制备出ZnFe2O4/PPy印迹复合光催化剂。通过XRD、FT-IR、SEM（EDS）、TEM、UV-vis DRS、VSM、PL、EIS和氮气吸附-脱附实验对制得的光催化剂的形貌、结构及性能进行了系统表征。此外,还详细考察了不同单体聚合时间和单体含量对ZnFe2O4/PPy印迹复合光催化剂的影响,探讨了其选择性光催化降解应用,并阐明了其选择性光催化反应机理。（3）通过溶剂热-煅烧法和分子印迹技术制备出了具有选择性光催化降解能力的ZnFe2O4-Ag/PATP印迹复合光催化剂,并通过XRD、FT-IR、SEM（EDS）、TEM、UV-vis DRS、VSM、PL、EIS、氮气吸附-脱附实验和XPS对制得的光催化剂进行了系统表征。此外,还详细考察了不同Ag含量和不同单体含量对印迹光催化剂的影响。同时,分别对比恩诺沙星和5-磺基水杨酸,探讨了Zn Fe2O4-Ag/PATP印迹复合光催化剂对环丙沙星的选择性降解效果。最后,探讨了该印迹光催化剂对环丙沙星的选择性光催化降解机理。