随着器件尺寸缩小和电源电压的下降，电路设计的重点已经从基本的参数要求转向低电压、低功耗方面，同时要求电路具有更好的精确度和更低的噪声。在低电源电压的条件下，基于共源共栅技术的单级放大器已经不能满足高增益要求。很多电路设计者了解到低电压多级放大器的重要性。但是，由于所有的多级放大器本身会产生多个极点，会造成电路的不稳定。因此出现了很多频率补偿结构。本文基于放大器频率特性，首先从理论上详细分析了两级放大器频率补偿的两种结构，综合考虑采用补偿技术的放大器技术指标，针对这两种补偿结构的理论分别设计了电路，详细介绍了每个电路各个部分的构成以及如何设计，计算出各个电路增益、极点的表达式、共模输入范围。采用UMC 0.6um双铝双层多晶BICMOS工艺MODEL对电路的各个性能指标进行仿真分析，仿真的性能指标包括放大器的开环增益、相位裕度、共模输入范围、差模输入范围、电源电压抑制比、共模抑制比。最后比较分析这两种电路。本章中设计的两个两级放大器实现了好的性能指标，增益带宽大，频率特性好，在实际中能够很好的应用。接着对三级放大器频率补偿理论进行深入的研究和分析。设计了两个三级放大器电路。从整体上详细分析了电路的组成，分别计算了电路的增益和极点，同样采用UMC 0.6um双铝双层多晶BICMOS工艺MODEL对电路的各个性能指标进行仿真分析，仿真的性能指标包括放大器的开环增益、相位裕度、共模输入范围、差模输入范围、电源电压抑制比、共模抑制比。本章最后比较分析这两个三级放大器电路。最后对文中设计的电路进行总结。