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CZTSSe材料有着优良的性能,其具有禁带系数适宜(1.0 eV-1.5 eV),光吸收系数较大(>10~4 cm~(-1)),所含元素地表含量丰富等特点而受到了许多研究机构与学者的青睐。而通常作为CZTSSe太阳能电池的缓冲层的硫化镉(CdS)对环境的影响较大,所以开发一种无毒的可替代CdS的缓冲层材料也是研究人员的研究重点。本文着重研究无毒Zn-Sn-O缓冲层材料和CZTSSe薄膜的制备与性能。第一,采用脉冲激光溅射(PLD)方法,利用双靶(Zn O、SnO_2)交替溅射并退火得到Zn-Sn-O