当Si基晶体管技术超过10nm技术节点时,由于Si材料的固有限制,使得基于Si平台的MOSFET的性能很难再得到进一步的提升。于是,开发具有高迁移率的创新性材料来取代Si材料作为晶体管的沟道成为了业界关注的重点。在若干备选材料中,锗（Ge）是很有发展前途的一种。但是,在Ge能够完全成为用于制备具有高性能的场效应晶体管（FET）的成熟技术之前,仍然还有若干问题亟需解决。其中一个问题就是:如何提供一个高质量的界面层,进而能够在低氧化层厚度和短沟道结构的条件下,避免引起大量驱动电流衰减。最近一段时间,高质量的Ge02界面层又被重新看作一种具有发展前景的钝化层,这是因为其具有极低的界面态密度,以及制备高性能Gen-MOSFET的潜力。其中,利用等离子体后氧化（PPO）技术形成的GeOx界面层具有良好的电学特性。如果能够掌握其生长动力学,将会有助于深入了解Ge02界面层降低悬挂键、改善器件性能指标的根本原因。而这对于器件制备工艺技术的改进和完善具有重要意义。在本文中,我们对4种Ge表面钝化方法进行了对比分析,发现氧等离子体钝化技术具有制备条件低,钝化效果好等优点。更为重要的是,其钝化机理的研究尚不完善。为此,我们调研了几种具有代表性的光谱技术,并对这些光谱技术进行分析比较,最终选择X射线光电子能谱技术（XPS）作为研究PPOGeO₂生长机理的核心检测技术。最后,我们借助角分辨X射线光电子光谱技术（AR-XPS）,对利用等离子体后氧化（PPO）技术形成的GeOx界面层的生长动力学进行了系统的分析与研究。通过在不同光电子接收角度和不同GeOx界面层厚度的条件下,对各种价态Ge的含量比值进行分析后,我们发现利用PPO技术生长的GeOx界面层并不服从逐个原子层氧化生长的模式（layer-by-layermode）。