金属氧化物半导体（MOS）气敏传感器因其较低的价格、较高的响应值、较短的响应和恢复时间等诸多优势而受到人们的普遍关注。而原位漫反射傅里叶变换红外光谱（in situ DRIFTS）技术可模拟现实条件下气体与气敏膜界面的反应及其进程,进而为研究其气敏机理提供理论基础。本文首先采用水热法合成了SnO₂和SnO₂/rGO两种气敏材料,然后采用丝网印刷技术制备了SnO₂和SnO₂/rGO两种气体传感器,接着研究了这两种气敏传感器对乙醚、四氯乙烯、丙烯腈、乙腈、乙胺和三氯乙烯六种有毒气体的气敏性能,最后采用in situ DRIFTS技术研究了这六种有毒气体分别在SnO₂和SnO₂/rGO气敏膜界面的吸附和化学反应过程,得出了如下主要结论:（1）水热法合成的SnO₂和SnO₂/rGO两种气敏膜的SnO₂晶体结构均为金红石结构;前者的比表面积为143.702 m²/g,后者的比表面积为187m²/g。（2）SnO₂/rGO和SnO₂气敏材料对于乙醚气敏性能的最佳工作温度均为380℃,浓度检测极限均达1ppm。在最佳工作温度下,SnO₂/rGO与SnO₂相比,其对乙醚的气敏值高,且响应恢复时间短。In situ DRIFTS测试结果表明:CH₃CH₂·、CH₃CH₂O·、CH₃CH₂OH、HCHO、CH₃CHO、C₂H₄、H₂O和CO₂均在SnO₂/rGO和SnO₂气敏膜表面生成。（3）SnO₂/rGO气敏材料对于四氯乙烯气敏性能的最佳工作温度为350℃,而SnO₂的气敏性随温度升高一直升高,浓度检测限均可达1ppm。在350℃,SnO₂/rGO对四氯乙烯的气敏值比SnO₂高,且其响应恢复时间较SnO₂的短。In situ DRIFTS测试结果表明:TCAC、COCl₂、Cl₂和CO₂均在SnO₂/rGO和SnO₂气敏膜表面生成。（4）SnO₂/rGO气敏材料对于丙烯腈气敏性能的最佳工作温度为380℃,而SnO₂的气敏性随温度升高一直升高,浓度检测限均可达5ppm。在380℃,SnO₂/rGO对丙烯腈的气敏值比SnO₂高,且其响应恢复时间较SnO₂的短。In situ DRIFTS测试结果表明:CH₂=CH-CONH₂、CH₂=CHCOOH、-NCO、NH₃、N₂、H₂O和CO₂均在SnO₂/rGO和SnO₂气敏膜表面生成。（5）SnO₂/rGO气敏材料对于乙腈气体敏感的最佳工作温度为380℃,而SnO₂的气敏性随温度升高一直升高,浓度检测限均达1ppm。在380℃,SnO₂/rGO对乙腈的气敏值比SnO₂高,且其响应恢复时间较SnO₂的短。In situ DRIFTS测试结果表明:CH₃O、CH₂CNH、CHOO、HCN、H₂O和CO₂均在SnO₂/rGO和SnO₂气敏膜表面生成。（6）SnO₂/rGO和SnO₂气敏材料对乙胺气体的气敏值在研究的室温—400℃温度范围内一直增大,检测浓度限均为1ppm。400℃时,SnO₂/rGO与SnO₂相比,其对乙胺的气敏值高,且响应恢复时间短。In situ DRIFTS测试结果表明:CH₃CN、CH₃O、H₂O和CO₂均在SnO₂/rGO和SnO₂气敏膜表面生成。（7）SnO₂/rGO和SnO₂对三氯乙烯的最佳工作温度均为300℃,浓度检测限均为5ppm。300℃下,SnO₂/rGO与SnO₂相比,其对三氯乙烯的气敏值高,且响应恢复时间短。In situ DRIFTS测试结果说明,DCAC、CH₂ClCOO-、COCl₂、HCl、CO₂、CO、H₂O、Cl₂均在SnO₂/rGO表面生成。