Ti薄膜可用于可见光、红外光的吸收材料,也可以和Cu,Nb等组成多层膜做紫外波段的反射膜材。核能技术中,在Ti膜中注入He可以模拟氚钛靶中氚衰变产生的扩散、成泡等过程。无支撑Ti膜在ICF物理实验靶中更有重要的应用前景,所以对Ti膜的研究显得很重要,近年来许多人对Ti膜进行了深入的研究。制备应力较小、表面光洁度高的Ti膜成为该领域研究的一个重要方向。本论文利用磁控溅射研究了溅射功率、沉积时间、基片负偏压和B掺杂对Ti薄膜的沉积速率、密度、表面粗糙度、生长方式、晶型结构和力学性能的影响。实验结果表明:薄膜的沉积速率随溅射功率的增加成良好的正比线性关系;沉积时间增加会导致薄膜表面光洁性能变差;Ti膜密度随偏压增加而增大,负偏压为-119.1V时开始饱和并趋于块体Ti材密度;XRD结果显示偏压增加致使Ti膜晶粒细化并最终非晶化,晶粒优先取向由(002)晶面过渡到(100)晶面;从Ti膜断面SEM图像中可以看出,偏压可以抑制Ti膜的柱状生长方式;偏压可以改善Ti膜的表面形貌,对于40W和100W的溅射功率,负偏压分别在-100V和-80V左右时制备出表面光洁性能较佳的Ti膜。掺B钛膜的晶粒大小随掺B量的增加而细化;薄膜样品表面粗糙度随B掺杂量增加而有所降低。论文共分四章:第一章是绪论,概述了进行此方面研究的背景、意义和国内外相关工作;第二章对Ti薄膜的制备和测试方法进行了介绍;第三章详述了Ti薄膜的制备条件对其微结构及性能的影响;第四章是结论和工作展望。