【摘 要】
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利用热壁外延(Hot Wall Epitaxy, 缩写为HWE )技术,在Si (111)和Si(100)衬底上外延生长PbTe 膜,并使用扫描电镜和转靶X 射线衍射仪研究生长结果。我们发现在Si(111)上生长PbT
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利用热壁外延(Hot Wall Epitaxy, 缩写为HWE )技术,在Si (111)和Si(100)衬底上外延生长PbTe 膜,并使用扫描电镜和转靶X 射线衍射仪研究生长结果。我们发现在Si(111)上生长PbTe(100),比在Si(100)上生长PbTe(100)高取向膜容易。并作了PbTe(100)/Si(111)界面的TEM研究,得到PbTe(100)是平行生长在Si(111)上的结论。还研究了在Si(111)衬底上PbTe 外延生长的机理以及初底表面重构对外延生长的影响。我们对生长的n-PbTe/p-Si 异质结进行了I～V 测试,结果显示有很好的结特性。还作了C～V 测试,得到了异质结的内建电势差和能带偏移,画出了界面能带图。我们还对制作的n-PbTe/p-Si异质结进行了光伏测量,结果显示有很好的光伏效应。具有制作红外探测器的可能。我们还用简化的HWE 装置作了生长PbTe/PbSnTe 超晶格的尝试。电镜照片显示,各层之间界面分明。从X-光衍射卫星峰间距算出超晶格周期,同由生长速率估计的数值很接近。
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